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IRFL110TRPBF中文资料

IRFL110TRPBF图片

IRFL110TRPBF外观图

  • 大小：1455.56KB
  • 厂家：VISAY [Vishay Siliconix]
  • 描述：Power MOSFET
  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：100 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：1.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：540 mOhms
  • 配置：Single Dual Drain
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SOT-223
  • 封装：Reel
  • 下降时间：9.4 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：2000 mW
  • 上升时间：16 ns
  • 工厂包装数量：2500
  • 典型关闭延迟时间：15 ns

IRFL110TRPBF供应商

更新时间:2022-12-31 20:34:57
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IPD60R1K4C6IS42S16100C1-7TLIICL7660CBAIRFBC20PBFISL6277HRZIKW40N120T2IPB60R199CPIPD80N04S3-06ISL81487EIBZ-TISL9106IRZ

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